阿拉丁照明网首页| 绿色| 检测认证| 古建筑| 道路| 酒店| 店铺| 建筑| 家居| 办公| 夜景| 娱乐| 工业| 博物馆| 体育| 公共 登录 注册

当前位置:首页 > 企业动态 > 正文

科锐与Nexperia签署GaN功率器件专利授权协议

2018-04-16 作者: 来源:阿拉丁照明网 浏览量: 网友评论: 0
此文章为付费阅读,您已消费过,可重复打开阅读,个人中心可查看付费阅读消费记录。

摘要: 科锐宣布与荷兰Nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议,Nexperia将有权使用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合,包括了超过300项已授权美国和国外专利,涵盖了HEMT(高电子迁移率场效晶体管)和GaN氮化镓肖特基二极管的诸多创新。

  科锐宣布与荷兰Nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议,Nexperia将有权使用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合,包括了超过300项已授权美国和国外专利,涵盖了HEMT(高电子迁移率场效晶体管)和GaN氮化镓肖特基二极管的诸多创新。这一专利组合针对新型器件结构、材料和工艺提升,以及封装技术。这一专利授权不包括技术转让。

  科锐联合创始人兼Wolfspeed首席技术官John Palmour表示:“科锐创立以来,对包括GaN氮化镓和SiC碳化硅在内的新型化合物半导体材料进行了深入研究,并利用它们的独特性能开发出新型器件。基于科锐数十年创新成果的器件,帮助实现新型电源管理和无线系统的市场导入。为了加速这类新市场的增长,科锐正在对用于GaN氮化镓电源管理系统的GaN氮化镓功率器件专利开展授权。”


凡本网注明“来源:阿拉丁照明网”的所有作品,版权均属于阿拉丁照明网,转载请注明。
凡注明为其它来源的信息,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点及对其真实性负责。若作者对转载有任何异议,请联络本网站,我们将及时予以更正。
| 收藏本文

本周热点新闻

    灯具欣赏

    更多

    工程案例

    更多
    博聚网